筒體的超聲波檢測(cè)(UT)是確保其內(nèi)部質(zhì)量(如夾雜、裂紋、氣孔等缺陷)的關(guān)鍵手段,尤其對(duì)厚壁筒體(壁厚≥50mm)需采用多方法組合檢測(cè)。以下是系統(tǒng)化的檢測(cè)方法及技術(shù)要點(diǎn):
1. 檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)依據(jù)
常用標(biāo)準(zhǔn):
國(guó)內(nèi):NB/T 47013.3-2015(承壓設(shè)備無(wú)損檢測(cè))
國(guó)際:ASME Sec.V Art.4、ASTM A388/A388M(大型鍛件UT)
行業(yè)特殊要求:API 6A(井口設(shè)備)、RCC-M(核電)
2. 檢測(cè)方法選擇
(1) 縱波直探頭檢測(cè)(厚度方向)
適用場(chǎng)景:檢測(cè)筒體徑向缺陷(如白點(diǎn)、夾雜)
參數(shù)設(shè)置:
探頭頻率:2~5MHz(厚壁優(yōu)選2.25MHz)
晶片尺寸:Φ20~30mm(保證近場(chǎng)區(qū)≤1/4壁厚)
靈敏度:平底孔基準(zhǔn)(如Φ3mm,埋深與壁厚成比例)
掃查方式:
100%覆蓋,螺距≤探頭直徑的1/2
周向、軸向雙方向掃查(避免漏檢橫向缺陷)
(2) 橫波斜探頭檢測(cè)(焊縫/近表面)
適用場(chǎng)景:檢測(cè)環(huán)焊縫或近表面缺陷(如裂紋、未熔合)
參數(shù)設(shè)置:
探頭角度:45°~70°(K1~K2,根據(jù)壁厚調(diào)整)
折射角校準(zhǔn):用CSK-IA試塊調(diào)整入射點(diǎn)與K值
掃查方式:
鋸齒形掃查(前后移動(dòng)±10mm)
偏轉(zhuǎn)掃查(±10°以檢測(cè)不同取向缺陷)
(3) 相控陣超聲檢測(cè)(PAUT)
優(yōu)勢(shì):可動(dòng)態(tài)聚焦、多角度掃描,適用于復(fù)雜幾何體
參數(shù)設(shè)置:
陣元數(shù):64~128(厚壁需高通道數(shù))
扇形掃描范圍:45°~70°,步進(jìn)≤1°
數(shù)據(jù)成像:
B掃描(厚度方向剖面)
C掃描(平面視圖,色標(biāo)顯示缺陷深度)
3. 耦合與校準(zhǔn)
耦合劑:高溫型(如甘油)用于預(yù)熱工件(>50℃時(shí)),常規(guī)用水基凝膠
校準(zhǔn)試塊:
縱波:CS-2(平底孔試塊)或IIW2(厚板試塊)
橫波:CSK-IA(斜探頭校準(zhǔn))
靈敏度校準(zhǔn):
基準(zhǔn)波高80%屏高,信噪比≥6dB
4. 缺陷評(píng)定與驗(yàn)收
缺陷定位:
深度計(jì)算:ΔT = (缺陷回波時(shí)間-始波時(shí)間)×聲速/2
聲速校準(zhǔn):碳鋼縱波聲速5920±30m/s
缺陷定量:
當(dāng)量法:對(duì)比試塊平底孔回波幅度
測(cè)長(zhǎng)法:6dB降落法(缺陷長(zhǎng)度≥波長(zhǎng)3倍時(shí))
驗(yàn)收標(biāo)準(zhǔn)(以ASME VIII為例):
不允許缺陷:
單個(gè)缺陷>Φ6mm當(dāng)量
密集缺陷(間距<20mm且總長(zhǎng)>壁厚1/3)
裂紋類線性缺陷(任何尺寸)
可接受缺陷:
單個(gè)Φ3~6mm,且間距>3倍缺陷直徑
5. 特殊問題處理
粗晶材料檢測(cè):
改用低頻探頭(1~1.5MHz)
增加濾波抑制草狀回波
曲面補(bǔ)償:
使用弧形探頭(曲率半徑匹配筒體±10%)
軟件校正(PAUT自動(dòng)補(bǔ)償)
高溫檢測(cè):
采用高溫探頭(耐溫≤300℃)
延遲塊材料選用耐熱陶瓷
6. 報(bào)告與記錄
必備內(nèi)容:
檢測(cè)位置圖(標(biāo)注缺陷坐標(biāo))
缺陷參數(shù)(當(dāng)量大小、埋深、長(zhǎng)度)
耦合劑類型、儀器型號(hào)(如奧林巴斯EPOCH 650)
數(shù)據(jù)存檔:
原始A掃描波形(帶時(shí)基標(biāo)記)
PAUT的C掃描圖像(分辨率≥300dpi)
案例參考
某核電筒體檢測(cè)(壁厚150mm,材料SA-508 Gr.3):
采用縱波+PAUT組合,發(fā)現(xiàn)Φ4.2mm夾雜群,經(jīng)解剖驗(yàn)證誤差<0.5mm。
通過(guò)鍛件熱處理后復(fù)驗(yàn),缺陷無(wú)擴(kuò)展,判定符合RCC-M MC3000標(biāo)準(zhǔn)。
通過(guò)規(guī)范化的UT流程,可有效控制厚壁筒體鍛件內(nèi)部質(zhì)量風(fēng)險(xiǎn)。對(duì)于關(guān)鍵設(shè)備(如反應(yīng)堆壓力容器),建議增加TOFD(衍射時(shí)差法)或X射線數(shù)字成像(DR)作為補(bǔ)充驗(yàn)證。